接地导通测试仪 变压器空负载测试仪

21、HN6065接地引下线导通测试仪
接地导通测试仪 变压器空负载测试仪
产品简介：
 新颁布的《电力安全工器具预防性试验规程》中要求须定期对携带型短路接地线及个人保护接地线做成组直流电阻试验。        
 接地引下线导通测试仪是我公司研制的一种自动化程度很高的便携式测试仪,用于测量携带型短路接地线以及个人保护接地线的直流电阻。该接地导通测试仪采用高性能单片机控制，可实现测试过程智能化，操作简单方便、精度高、测试速度快，复测性好、读数直观，是符合规程要求的理想的仪器，大大方便了试验项目的开展，提高了工作效率。再说LED抗浪涌的能力是比较差的，特别是抗反向电压能力。加强这方面的保护也很重要。有些LED灯装在户外，如LED路灯。由于电网负载的启甩和雷击的感应，从电网系统会侵入浪涌，有些浪涌会直接导致LED的损坏。因此LED驱动电源要有浪涌的侵入，保护LED不被损坏的能力。这就需要通过全天科技可编程交流电源具备的极富弹性的波形仿真，模拟电源瞬断波、特定相位角的开启或关闭以及交流电源扰动（PLD）测试和符合IEC61-4-11/IEC61-4-14/IEC61-4-28标准测试要求波形。
 接地导通测试仪符合标准GB6587-86《电子测量仪器环境试验总纲》及GB6593-86《电子仪器质量检定规则》的要求。

产品别称：智能型接地引下线导通测试仪、接地导通测试仪。 从全称上看，很多人可能还不是很了解IEC61000-4-7和IEC61000-3-2的区别，下面就做个解析。简单的说，IEC61000-4-7是针对电源和连接电源的设备，给出其谐波、间谐波的测量方法，同时针对测量谐波、间谐波的仪器设备给出技术标准。在测量方法方面，IEC61000-4-7给出了频率、谐波、失真系数、间谐波的具体测试方法，IEC61000-4-7还特意强调，严格意义上讲，被测信号需要处于稳定状态。

产品特征：
1、用于变电站内各个电力设备接地引下线之间的导通电阻值的测量接地导通测试仪 变压器空负载测试仪
2、体积小巧便于携带
3、液晶全中文菜单，操作简单直观
4、测试速度快，准确度高，数据重复性好，抗干扰能力强。
但是市面上又几乎找不到逻辑分析仪的差分探头。使用485隔离模块，配合示波器单端探头观测输出波形。我们选用RSM485ECHT增强型隔离RS-485，支持500K波特率，能够实现485通讯的隔离。如。图3RS485隔离模块针对隔离之后的波形，使用示波器配合普通探头观测的波形，如：图4隔离之后，示波器配合普通探头捕获的波形从图片上可以看出，使用示波器+普通探头测量隔离之后的485信号依然可以得到比较完波形，与差分探头效果相当。技术参数
项目 技术指标及参数
测试电流 1A   5A   10A   
测量范围 1A       1μΩ~20Ω
5A       1μΩ~4Ω
10A       1μΩ~2Ω
测量准确度 ±（0.2%满量程±2个字）
也就是说物体只要是有温度存在,就会有热辐射产生。辐射电磁波谱如。电磁波谱是由波长相差很大的r射线、x射线、可见光、紫外线、红外线、和无线电波组成。它们的波长范围是1~3m到1~8m,可见光谱仅是其中的很小一部分,约.38μm到.78μm,而比可见光更长的的一段波长辐射是红外辐射.7μm到15μm。铁路红外测温仪的应用波长为8～14μm,主要是用在远红外区域内。由此可知低温时辐射能量较小,而且主要是发射较长波长的红外线,随着温度的升高,辐射能量急剧增加,同时辐射光谱也会逐渐的向短波方向移动。显示方式 128×64点阵显示（电阻显示为4 1/2位）
分辨率 0.1μΩ
电源 AC 220V±22V，50Hz±2 Hz（管5A）
功耗 600W（测试电流为10A时）
工作环境 环境温度 0°～40°
相对湿度 ≤80%
体积 400╳200╳280  (mm)
接地导通测试仪 变压器空负载测试仪Mentor嵌入式多核框架能消除异构硬件和软件环境的管理复杂性，从而简化SoC系统设计异构多处理对于当今的嵌入式应用来说正变得越来越重要。片上系统(SoC)架构，赛灵思的ZynqUltraScale+MPSoC提供包含四个ARMCortex-A53内核以及两个ARMCortex-R5内核的强大异构多处理基础架构。除了核心的计算基础架构外，SoC还包含一系列丰富的硬化外设IP和FPGA架构，可实现灵活的设计模式，从而帮助系统开发人员创建高性能多处理系统。兰色段开始变弯曲，斜率逐渐变小。红色段就几乎变成水平了，这就是“饱和"。实际上，饱和是一个渐变的过程，兰色段也可以认为是初始进入饱和的区段。在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。在图中就是假想绿色段继续向上延伸，与Ic=50MA的水平线相交，交点对应的Ib值就是临界饱和的Ib值。图中可见该值约为0.25mA。由图可见，根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
重量 5kg（带配件）