老化测试电源 线性直流恒流源

HNZDL系列可编程直流稳压大电流电源老化测试电源 线性直流恒流源

一、产品特点 

1、采用超大真彩大液晶触摸屏人机界面，方便直接编程操作。直流开关试验装置见其他详细介绍

2、本机一次可执行不同电压、电流、延迟时间、运行时间的设定，并可连续循环999999次。

3、输出电压可以从零伏起调；输出电流可以从零预置;

4、具有10组记忆组,可以将以前使用过的参数存储,以便下次使用时轻松调用。

5、 具有RS232、RS485通讯接口。“通过使用FLIR的TrafiOne检测器，城市的交通通行能力得到非常大的提升，市民对交通拥堵的投诉数量明显减少。"3.全天候运行FLIRTrafiOne热成像传感器可以根据行人和自行车骑行者的温度特征进行检测。这些检测器不需要任何补光措施就可以正常运行，而且不惧阳光直射。无论光线情况如何，所有热成像行人检测器可以24小时不间断地正常检测行人和骑行者。英国交通部的一项研究表明：在路侧安装了行人检测设备的信号控制路口，32%的行人过街需求被取消掉了。

6、恒定电压、恒定电流之使用, 可自动交叉变换，维持控制与保护兼顾

7、高频PWM硬件调整控制技术，反应速度快，输出稳定  

7、具有输出稳压、限流、短路保护和功率器件过热保护功能； 优良的输出稳定性能：源电压效应＜0.5%，负载效应＜1%；

8、输出直流电压畸变系数低，干扰小； 在短路和过载故障时，可调节限流电位器来限制输出电流值，从额定值的50%至105%之间变化；互感器过热的情况通常表现为，电流互感器一次侧导电回路不良引起的局部发热;整体介质损耗上升引起的温度整体上升;电流互感器套管缺油引起的温度分布异常。互感器过热的情况通常表现为，电流互感器一次侧导电回路不良引起的局部发热;整体介质损耗上升引起的温度整体上升;电流互感器套管缺油引起的温度分布异常。电压互感器存在局部缺陷、受潮或老化，使介质损耗增加或局部放电;由铁芯损耗引起，随着电压等级的升高，绝缘的介质损耗严重。

9、适用于阻性、感性等负载；负载适应性强；

二、主要用途及适用范围 

1、电解电容器老练，钽电容器赋能

2、电阻器、继电器，马达等电子元件老练，例行试验

3、实验室，电子设备、自动测试设备

4、电子检验设备、生产线设备、通讯设备

PID修复装置与逆变器直流输入并联，在光伏组件的负级和地之间施加一个高电压，并且支持输出固定电压和输出智能调节的电压。在夜间，它能把光伏组件在白天因为负极与地之间的负偏压所积累下来的电荷释放掉，持续运转，PID－BOX将会修复那些因为PID效应导致效率衰减的电池组件。PID修复装置（PID－BOX）接线示意图其实光伏组件漏电流的大小影响着衰减现象，监控组件实时漏电流的大小，能够有效反映出组件衰减程度并以此做调节。交流输入 15KW以下（单相110V±10%、220V±10%、或者三相380V±15%）

15KW以上（三相380V±15%）

频率：50HZ、60HZ、400HZ任选

直流输出 电压（稳压值CC）：0- 6000V连续可调  

电流（恒流值CV）：0- 100000A连续可调   

源电压效应 ≤0.2%有效值 也许大家早就对它很熟悉，但是它的用途到底是什么呢?为什么所有的电器中都必须有它？本文将为您解答。“电阻的英文名称为resistance，通常缩写为R，它是导体的一种基本性质，与导体的尺寸、材料、温度有关“。这是课本上通常给电阻下的定义，那它到底有什么用？我们直接进入正题。电阻的个用途：采集非电量参量我们知道，电阻值与温度之间存在一定的关系。看下式：在这里，电阻值R与温度T之间存在函数关系。于是，我们就可以用电阻来采集温度。

负载效应 稳压精度：≤0.5%有效值（阻性负载）

恒流精度：≤0.5%有效值（阻性负载）

输出纹波 稳压状态（CC）：≤0.3%+10mV（rms）（有效值）

稳流状态（CV）：≤0.5%+10mA（rms）（有效值）

输出显示 4位半数字表     精度 ：±1% +1个字

显示格式  00.00V-19.99V；000.0V-199.9V；0000V-1999V；

电压电流设定 多圈电位器、按键式、液晶触摸屏（可选）

过压保护 内置O.V.P保护，保护值为额定值+5%，保护后关闭输出，重新开机解锁

过流保护 过载、短路、定电流输出LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。老化测试电源 线性直流恒流源GB/T12325-2008《V锥流量计》中规定：电能质量分析仪的35kV及以上供电电压正、负偏差值之和不超过标称电压的10%；20kV及以下三相供电电压允许偏差为标称电压的土7%；220V单相供电电压允许偏差为标称电压的+7%，－10%。三相电压不平衡GB/T15543-2008《电能质量三相电压不平衡》中规定：电力系统公共连接点电压不平衡度限值为：电网正常运行时，负序电压不平衡度不超过2%，短时不得超过4%；低压系统零序电压限值暂不做规定，但各相电压必须满足GB/T12325的要求。